[发明专利]一种N型电池片及其制备方法无效
申请号: | 201210475199.4 | 申请日: | 2012-11-21 |
公开(公告)号: | CN102931287A | 公开(公告)日: | 2013-02-13 |
发明(设计)人: | 张伟;李高非;胡志岩;熊景峰 | 申请(专利权)人: | 英利能源(中国)有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0224 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 魏晓波 |
地址: | 071051 河*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | 本发明公开了一种N型电池片的制备方法,对N型衬底的表面制绒;在电池片的正面印刷硼浆料进行硼扩散形成选择性发射极结构,并使得选择性发射极的重掺杂区位于待印刷电极的位置,在电池片的背面进行磷扩散形成N型背场;对电池片两侧表面镀反射膜,然后在电池片两侧表面印刷电极。此制备方法在N型衬底表面形成硼离子浓度高低浓度相间的选择性发射极结构,N型衬底的少数载流子寿命较高,并且对金属杂质不敏感,N型电池片具有较高的效率和较好的稳定性。同时,此制备方法工艺简单,生产效率高,能耗低,适用于大规模生产。本发明还公开了一种N型电池片,具有选择性发射极结构和N型背场,此N型电池片可由上述制备方法制得。 | ||
搜索关键词: | 一种 电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种N型电池片的制备方法,包括以下步骤:1)对N型衬底的表面进行结构化处理,以在其表面形成倒金字塔的绒面;2)在电池片的正面印刷硼浆料进行硼扩散,形成选择性发射极结构,并使得选择性发射极的重掺杂区位于待印刷电极的位置;3)在电池片的背面进行磷扩散形成N型背场;4)对电池片两侧表面镀反射膜,然后在与选择性发射极的重掺杂区相对的电池片两侧表面印刷电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的