[发明专利]电光及旋光热效应补偿复合功能硅酸镓镧晶体调Q激光器有效

专利信息
申请号: 201210475871.X 申请日: 2012-11-22
公开(公告)号: CN102946043B 公开(公告)日: 2018-09-28
发明(设计)人: 郑晖;黄见洪;林文雄;史斐;李锦辉;翁文;戴殊韬;刘华刚 申请(专利权)人: 中国科学院福建物质结构研究所
主分类号: H01S3/0941 分类号: H01S3/0941;H01S3/127
代理公司: 北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙) 11535 代理人: 张祖萍
地址: 350002 *** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明提供电光及旋光热效应补偿复合功能硅酸镓镧晶体调Q激光器。该激光器包括激光晶体Nd:YAG,谐振腔、LGS晶体组件,激光泵浦系统,高压脉冲调Q电源组成,激光泵浦系统由两个相同的半导体泵浦源和脉冲激光电源组成,谐振腔由全反镜、偏振片、LGS晶体组件和输出镜组成。该激光器克服现有高重频脉冲激光器由于热致双折射效应严重导致激光功率降低光束恶化的缺陷,得到结构紧凑高质量高功率高重频脉冲激光器。
搜索关键词: 电光 光热 效应 补偿 复合 功能 硅酸 晶体 激光器
【主权项】:
1.一种电光调Q及旋光热效应补偿复合功能硅酸镓镧晶体调Q激光器,包括:激光晶体Nd:YAG(1)、谐振腔、激光泵浦系统和高压脉冲调Q电源(4),其特征在于:所述激光泵浦系统由两个相同的半导体泵浦模块组成,每个半导体泵浦模块由半导体泵浦源(2)和脉冲激光电源(3)组成;所述谐振腔由依次设置的全反镜(8)、偏振片(6)、硅酸镓镧晶体组件(5)和输出镜(7)组成;其中,所述硅酸镓镧晶体组件(5)放置于所述两个相同的半导体泵浦模块之间;所述硅酸镓镧晶体组件(5)为两块串联的硅酸镓镧晶体,其中,每块硅酸镓镧晶体X方向为电场加压方向,Z方向为通关方向;其中一块硅酸镓镧晶体在X方向加高压,关门电压随晶体纵横比的大小可调;所述激光晶体Nd:YAG(1)为两根尺寸完全相同的孪生晶体,即第一个激光棒和第二个激光棒,第一个激光棒和第二个激光棒分别放置于所述硅酸镓镧晶体组件(5)的两边,在第一个激光棒中成径向偏振的模式,在第二个激光棒中成切向偏振的模式;泵浦开始时,脉冲激光电源(3)触发高压模式,给所述一块硅酸镓镧晶体加直流的λ/4电压来实现谐振腔的关断;调节延时时间,使上能级粒子数积累到最大,瞬间退掉电压,实现谐振腔的开门状态,产生脉冲激光输出。
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