[发明专利]逆导IGBT器件及制造方法

摘要

本发明涉及一种逆导IGBT器件结构，包括第一导电类型漂移区，第一导电类型漂移区内设第二导电类型基区，第二导电类型基区上部设第一导电类型发射区；第二导电类型基区与第一导电类型漂移区上方设栅氧化层，在栅氧化层上设多晶栅，在多晶栅上设栅电极，在第二导电类型基区上设发射极；在、第一导电类型漂移区的背面设第二导电类型集电区和第一导电类型集电掺杂区，第一导电类型集电掺杂区位于第二导电类型集电区的一侧；在所述第一导电类型漂移区的背面淀积有第一集电金属区，第一集电金属区的一面覆盖第二导电类型集电区，第一集电金属区的另一面上淀积有第二集电金属区，第二集电金属区覆盖第二导电类型集电区和第一导电类型集电掺杂区。本发明实现了在较低温度获得较高的杂质激活率。

主权项

一种逆导IGBT器件，在所述逆导IGBT器件的截面上，包括包括第一导电类型漂移区，第一导电类型漂移区具有相互平行的正面和背面；所述第一导电类型漂移区内设有第二导电类型基区，第二导电类型基区由第一导电类型漂移区的正面向背面方向延伸，且第二导电类型基区的延伸距离小于第一导电类型漂移区的厚度；所述第二导电类型基区内设有第一导电类型发射区，第一导电类型发射区位于第二导电类型基区的上部，第一导电类型发射区由第一导电类型漂移区的正面向背面方向延伸；所述第一导电类型漂移区内的第二导电类型基区通过位于第一导电类型漂移区正面上的栅氧化层以及位于栅氧化层下方的第一导电类型漂移区相隔离；所述栅氧化层位于第一导电类型漂移区正面的中心区，分别与两侧的第二导电类型基区相接触，并与两侧第二导电类型基区内相邻的第一导电类型发射区相接触；在所述栅氧化层上设有多晶栅，多晶栅的形状与栅氧化层的形状相一致；所述第二导电类型基区位于第一导电类型漂移区正面中心区的外圈，第二导电类型基区环绕多晶栅和栅氧化层；在所述第二导电类型基区上设有发射极，发射极与第二导电类型基区和该第二导电类型基区内的第一导电类型发射区相接触，在多晶栅上设有栅电极；其特征是：在所述第一导电类型漂移区的背面设有第二导电类型集电区和第一导电类型集电掺杂区，第一导电类型集电掺杂区位于第二导电类型集电区的一侧；在所述第一导电类型漂移区的背面淀积有第一集电金属区，第一集电金属区的一面覆盖第二导电类型集电区，第一集电金属区的另一面上淀积有第二集电金属区，第二集电金属区覆盖第二导电类型集电区和第一导电类型集电掺杂区。