[发明专利]半导体制造装置及半导体制造方法有效
| 申请号： | 201210476350.6 | 申请日： | 2012-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN103137468A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 申平洙;金秉勳 | 申请（专利权）人： | PSK有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 刘宗杰;钟锦舜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体制造装置及半导体制造方法，能够在蚀刻工艺进行时，提高氮化膜的蚀刻选择比。在本发明的半导体制造装置中，在工艺腔室的外部由被供给的二氟甲烷CH2F2、氮气N2以及氧气O2气体产生等离子体，将产生的等离子体供给到工艺腔室内。在将等离子体供给工艺腔室的途中，供给三氟化氮NF3。利用这种装置构造及源气体蚀刻氮化硅膜的情况下，能够使氮化硅膜相对于其他种类膜的蚀刻选择比大幅度地增加。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 制造 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体制造方法，用于对基板上形成的氮化膜进行蚀刻，其中，将基板放置在工艺腔室内，在所述工艺腔室外部由第1源气体产生等离子体，将所述等离子体供给到所述工艺腔室，所述第1源气体包含二氟甲烷CH2F2、氮气N2以及氧气O2。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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