[发明专利]薄膜晶体管矩阵面板及其制造方法无效
申请号: | 201210477014.3 | 申请日: | 2012-11-21 |
公开(公告)号: | CN103779354A | 公开(公告)日: | 2014-05-07 |
发明(设计)人: | 赖志明;叶永辉 | 申请(专利权)人: | 财团法人工业技术研究院 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L29/786;H01L21/84;H01L21/336 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁挥;祁建国 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明有关于一种薄膜晶体管矩阵面板及其制造方法。薄膜晶体管矩阵面板包括基板、像素阵列及吸收层。基板具有上表面。像素阵列形成于基板的上表面上且包括数条数据线、数条扫描线及数个主动元件。这些扫描线与这些数据线定义数个像素区域。各主动元件形成于对应的像素区域内,且包括通道层。吸收层与通道层形成于同一层结构中。本发明可改善残留于薄膜晶体管的离子影响薄膜晶体管的电性品质。 | ||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 矩阵 面板 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种薄膜晶体管矩阵面板,其特征在于,包括:一基板,具有一上表面;一像素阵列,形成于该基板的该上表面上,且包括:多条数据线;多条扫描线,与所述数据线定义多个像素区域;多个主动元件,各该主动元件形成于对应的该像素区域内且包括一通道层;以及一吸收层,与该通道层形成于同一层结构中,且该吸收层的材料与该通道层相同。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的