[发明专利]薄膜晶体管矩阵面板及其制造方法无效

专利信息
申请号: 201210477014.3 申请日: 2012-11-21
公开(公告)号: CN103779354A 公开(公告)日: 2014-05-07
发明(设计)人: 赖志明;叶永辉 申请(专利权)人: 财团法人工业技术研究院
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L29/786;H01L21/84;H01L21/336
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 梁挥;祁建国
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明有关于一种薄膜晶体管矩阵面板及其制造方法。薄膜晶体管矩阵面板包括基板、像素阵列及吸收层。基板具有上表面。像素阵列形成于基板的上表面上且包括数条数据线、数条扫描线及数个主动元件。这些扫描线与这些数据线定义数个像素区域。各主动元件形成于对应的像素区域内,且包括通道层。吸收层与通道层形成于同一层结构中。本发明可改善残留于薄膜晶体管的离子影响薄膜晶体管的电性品质。
搜索关键词: 薄膜晶体管 矩阵 面板 及其 制造 方法
【主权项】:
一种薄膜晶体管矩阵面板,其特征在于,包括:一基板,具有一上表面;一像素阵列,形成于该基板的该上表面上,且包括:多条数据线;多条扫描线,与所述数据线定义多个像素区域;多个主动元件,各该主动元件形成于对应的该像素区域内且包括一通道层;以及一吸收层,与该通道层形成于同一层结构中,且该吸收层的材料与该通道层相同。
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