[发明专利]一种半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 201210477196.4 | 申请日： | 2012-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN103839873A | 公开（公告）日： | 2014-06-04 |
| 发明（设计）人： | 周鸣 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成阻挡层和层间介电层；使所述层间介电层转变为多孔低κ介电层；在所述层间介电层上形成不含造孔剂前体的致密低κ介电层；在所述致密低κ介电层上形成另一层间介电层，并使所述另一层间介电层转变为多孔低κ介电层。根据本发明，在使所述层间介电层保持较低的κ值的同时使其具有足够高的机械强度，避免实施半导体器件封装工艺时出现的失效现象。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制造方法，包括：a)提供半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成阻挡层和层间介电层；b)使所述层间介电层转变为多孔低κ介电层；c)在所述层间介电层上形成不含造孔剂前体的致密低κ介电层；d)在所述致密低κ介电层上形成另一层间介电层，并使所述另一层间介电层转变为多孔低κ介电层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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