[发明专利]一种进气结构及等离子体工艺设备无效
| 申请号： | 201210477227.6 | 申请日： | 2012-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN103068137A | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | 席峰;胡冬冬;李楠;汪明刚;夏洋 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H05H1/24 | 分类号： | H05H1/24 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人： | 刘丽君 |
| 地址： | 100029 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及等离子体工艺设备技术领域，具体涉及一种进气结构。所述进气结构，包括不锈钢进气管及设置在不锈钢进气管下方的圆柱形的匀气筒，匀气筒包括筒身及设置在筒身上端的台阶结构，匀气筒下端为封闭的，匀气筒的筒身上均匀分布若干匀气孔。本发明还提供一种等离子体工艺设备。本发明可以减小或避免由于结构不对称，引起的等离子体启辉不均匀或局部打火现象的出现；由于本发明的进气结构避开了等离子体启辉的范围，不会对电磁场的分布造成影响，可以提高等离子体的均匀性和稳定性；并且，在等离子体启辉条件下，本发明的进气结构没有放气现象，可以保持真空腔室对真空度的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 结构 等离子体 工艺设备 | ||
【主权项】：
一种进气结构，其特征在于：包括不锈钢进气管及设置在所述不锈钢进气管下方的圆柱形的匀气筒，所述匀气筒包括筒身及设置在所述筒身上端的台阶结构，所述匀气筒下端为封闭的，所述匀气筒的筒身上均匀分布若干匀气孔。
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