[发明专利]一种电极引入结构有效
| 申请号： | 201210477228.0 | 申请日： | 2012-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN103065918A | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | 席峰;王佳;李楠;汪明刚;夏洋 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人： | 刘丽君 |
| 地址： | 100029 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及等离子体工艺设备技术领域，具体涉及一种电极引入结构。所述电极引入结构，用于等离子体工艺设备，包括电极及包裹电极的绝缘防护结构，绝缘防护结构包括圆筒形的第一绝缘套和设置在第一绝缘套下方的圆筒形的第二绝缘套，第二绝缘套固定在电极上，第一绝缘套固定在等离子体工艺设备的腔室盖的上端。本发明的电极引入结构，可以减小或避免由于防护性与电气绝缘等问题，引起的等离子体启辉不均匀现象的出现；在等离子体启辉条件下，本发明的电极引入结构没有放气现象，可以保持真空腔室对真空度的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电极 引入 结构 | ||
【主权项】：
一种电极引入结构，用于等离子体工艺设备，其特征在于：包括电极及包裹所述电极的绝缘防护结构，所述绝缘防护结构包括圆筒形的第一绝缘套和设置在所述第一绝缘套下方的圆筒形的第二绝缘套，所述第二绝缘套固定在所述电极上，所述第一绝缘套固定在所述等离子体工艺设备的腔室盖的上端。
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