[发明专利]BeMgZnO基同质p-n结构紫外探测器及制法

摘要

本发明公开了一种BeMgZnO基同质p-n结构紫外探测器，包括衬底、衬底上沉积有缓冲层，缓冲层上生长有n型薄膜层，n型薄膜层上生长有p型薄膜层；n型薄膜层上制作有金属电极的负极，p型薄膜层上生长有金属电极的正极；n型薄膜层与p型薄膜层均为BeMgZnO四元合金薄膜层，BeMgZnO四元合金薄膜层的厚度可通过控制生长时间来控制，可根据需要从几十纳米到几微米不等；BeMgZnO四元合金薄膜层通过调节Be、Mg和Zn三种元素的原子配比来调节禁带宽度，禁带宽度为3.37eV-6.2eV。本发明通过BeMgZnO四元合金薄膜层作为吸收层，获得在日盲范围200nm到375nm响应的紫外探测器，从而覆盖整个日盲区。

主权项

一种BeMgZnO基同质p‑n结构紫外探测器，其特征在于：包括衬底、衬底上沉积有缓冲层，缓冲层上生长有n型薄膜层，n型薄膜层上生长有p型薄膜层；n型薄膜层上制作有金属电极的负极，p型薄膜层上生长有金属电极的正极；所述n型薄膜层与p型薄膜层均为BeMgZnO四元合金薄膜层，BeMgZnO四元合金薄膜层的厚度在为200nm～1um；BeMgZnO四元合金薄膜层通过调节铍、镁和锌三种元素的原子配比来调节禁带宽度，禁带宽度为3.37eV‑6.2eV。