[发明专利]具有过渡结合层的聚酰亚胺薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201210478524.2 | 申请日： | 2012-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN102975425A | 公开（公告）日： | 2013-03-20 |
| 发明（设计）人： | 刘佩珍;李成章;江林 | 申请（专利权）人： | 云南云天化股份有限公司 |
| 主分类号： | B32B15/08 | 分类号： | B32B15/08;B32B37/15;B32B38/10;B32B38/16;B32B38/18 |
| 代理公司： | 北京海虹嘉诚知识产权代理有限公司 11129 | 代理人： | 谢殿武 |
| 地址： | 657800 *** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有过渡结合层的聚酰亚胺薄膜及其制备方法，包括聚酰亚胺基膜和结合于聚酰亚胺基膜的过渡层，过渡层包括由纳米A金属氧化物与热塑性聚酰亚胺形成的杂化树脂层和表层A金属层；A金属为与导电金属的结合强度大于导电金属与聚酰亚胺基膜的结合强度的金属；本发明过渡层与基膜之间的结合强度以及过渡层与导电金属之间的结合强度均远大于导电金属与基膜之间的结合强度，甚至还大于现有技术中的胶粘剂与基膜以及导电金属的结合强度，增强基材表面与导电金属箔层间的结合力，避免在极端工作条件下聚酰亚胺薄膜与导电金属层间的剥离，大大提高了产品性能，保证电路板的使用，降低使用成本。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 过渡 结合 聚酰亚胺 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种具有过渡结合层的聚酰亚胺薄膜，其特征在于：包括聚酰亚胺基膜、结合于聚酰亚胺基膜的过渡层，所述过渡层包括杂化树脂层和表层A金属层；所述杂化树脂层由纳米A金属氧化物与热塑性聚酰亚胺形成，所述表层A金属层由杂化树脂层的外层还原形成；A金属为与导电金属的结合强度大于导电金属与聚酰亚胺基膜的结合强度的金属。
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