[发明专利]绿光LED芯片及其制备方法无效
| 申请号： | 201210478796.2 | 申请日： | 2012-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN103840055A | 公开（公告）日： | 2014-06-04 |
| 发明（设计）人： | 周明杰;王国彪;陈贵堂 | 申请（专利权）人： | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/50;H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 王茹;黄晓庆 |
| 地址： | 518100 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种绿光LED芯片，包括紫外光外延芯片、导电层、荧光粉层、金属纳米结构层、P型电极和N型电极；所述紫外光外延芯片包括依次层叠的衬底层、缓冲层、n型半导体层、量子阱层、p型半导体层；所述导电层蒸镀于紫外光外延芯片的P型半导体层上；所述荧光粉层涂覆在所述导电层上；所述金属纳米结构层生长于所述荧光粉层上。本发明的金属纳米结构的表面等离子体激发能够产生非常特殊的光学性质，利用金属表面自由电子振荡与荧光粉发光材料的相互作用产生共振，能够提高发光材料的发光效率和光萃取效率。 | ||
| 搜索关键词： | led 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种绿光LED芯片，其特征在于，包括紫外光外延芯片、导电层、荧光粉层、金属纳米结构层、P型电极和N型电极；所述紫外光外延芯片包括依次层叠的衬底层、缓冲层、n型半导体层、量子阱层、p型半导体层；所述导电层蒸镀于紫外光外延芯片的P型半导体层上；所述荧光粉层涂覆在所述导电层上；所述金属纳米结构层生长于所述荧光粉层上。
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