[发明专利]芯片电性侦测装置及其形成方法有效

专利信息
申请号: 201210479017.0 申请日: 2012-11-22
公开(公告)号: CN103163445A 公开(公告)日: 2013-06-19
发明(设计)人: 李忠哲;吴坚州;詹益明 申请(专利权)人: 旺矽科技股份有限公司
主分类号: G01R31/28 分类号: G01R31/28
代理公司: 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 代理人: 孙皓晨
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明是一种芯片电性侦测装置及其形成方法,其根据转换基板的特征,决定出一补强结构的结构,并将转换基板、补强结构以及一基板相耦接以形成芯片电性侦测装置。在一实施例中,电性侦测装置包括一基板、一转换基板、一探针模块以及一补强结构。该转换基板的一表面上具有与该基板相耦接的复数个第一导电体,该转换基板的另一表面上具有复数个第二导电体。该探针模块具有分别与该复数个第二导电体电性连接的复数个探针。该补强结构设置于该转换基板与该基板之间。
搜索关键词: 芯片 侦测 装置 及其 形成 方法
【主权项】:
一种芯片电性侦测装置,其特征在于,包括:一基板;一转换基板,其具有一第一表面以及与该第一表面相对应的第二表面,该第一表面上具有复数个第一导电体,该复数个第一导电体分别与该基板相耦接,该第二表面上具有复数个第二导电体;一探针模块,其具有复数个探针,该复数个探针分别与该复数个第二导电体电性连接;以及一补强结构,其设置于该转换基板与该基板之间。
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