[发明专利]N沟道耗尽型功率MOSFET器件及制造方法有效
| 申请号： | 201210479867.0 | 申请日： | 2012-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN102931093B | 公开（公告）日： | 2017-03-08 |
| 发明（设计）人： | 闻永祥;赵金波;王维建;曹俊 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供一种N沟道耗尽型功率MOSFET器件及制造方法，所述制造方法包括，进行离子注入和退火工艺，以在所述栅极之间的有源区中形成P型阱区，并且在进行离子注入和退火工艺的步骤之间，进行氧化工艺；以及进行电子辐照工艺，以在相邻的两个P型阱区中相临近的两源区之间形成耗尽层，通过电子辐照工艺，被电子辐照产生的电子在器件的硅表面形成电子导通沟道，即形成耗尽层，也使形成的MOSFET器件具有较短的反向恢复时间，进而提升了产品的性能；同时，增加电子辐照工艺的方法与常规功率MOSFET器件的制造工艺相兼容，并不需要增加单独的版来进行沟道注入工艺，进而节约工艺步骤，提高生产效率，降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 沟道 耗尽 功率 mosfet 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种N沟道耗尽型功率MOSFET器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，并在所述半导体衬底上形成外延层，所述外延层包括分压环形成区和有源区；在所述有源区中进行离子场注入工艺和退火工艺，以形成离子场注入区；在所述有源区上形成栅极；进行离子注入和退火工艺，以在所述栅极之间的离子场注入区中形成P型阱区，并且在进行离子注入和退火工艺的步骤之间，进行氧化工艺；在所述P型阱区中形成P型接触区及P型接触区旁的N+源区；对所述半导体衬底进行电子辐照工艺，以在相邻的两个P型阱区中相临近的两N+源区之间的离子场注入区中形成耗尽层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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