[发明专利]一种高增益的宽带低噪声放大器有效
| 申请号： | 201210480327.4 | 申请日： | 2012-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN102983817A | 公开（公告）日： | 2013-03-20 |
| 发明（设计）人： | 李智群;陈亮 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H03F1/26 | 分类号： | H03F1/26;H03F1/02;H03F3/189 |
| 代理公司： | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人： | 汤志武 |
| 地址： | 214135 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种高增益的宽带低噪声放大器，其特征在于：采用有源跨导增强电路，设有高频扼流单元、负载单元以及第一、第二两个输入放大单元，射频输入信号分别连接第一、第二两个输入放大单元的输入端，第一输入放大单元的输出端将放大信号输入到第二输入放大单元，第二输入放大单元的输出端连接负载单元，负载单元输出射频输出信号，第二输入放大单元的输入端还串联高频扼流单元后接地。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 增益 宽带 低噪声放大器 | ||
【主权项】：
一种高增益的宽带低噪声放大器，其特征在于：采用有源跨导增强电路，设有高频扼流单元、负载单元以及第一、第二两个输入放大单元，射频输入信号分别连接第一、第二两个输入放大单元的输入端，第一输入放大单元的输出端将放大信号输入到第二输入放大单元，第二输入放大单元的输出端连接负载单元，负载单元输出射频输出信号，第二输入放大单元的输入端串联高频扼流单元后接地，其中：第一输入放大单元包括NMOS管M1、两个电阻R1、R2、两个电容C1、C2，NMOS管M1的栅极与电阻R1的一端以及电容C1的一端连接，电阻R1的另一端连接第一偏置电压，电容C1的另一端连接射频输入信号，NMOS管M1的漏极串联电阻R2后连接到电源电压，同时，NMOS管M1的漏极通过电容C2输出放大信号，NMOS管M1的源极接地；第二输入放大单元包括NMOS管M2、电阻R3，NMOS管M2的栅极连接第一输入放大单元的放大信号输出端，并通过串联电阻R3后连接第二偏置电压，NMOS管M2的源极连接射频输入信号，NMOS管M2的漏极为第二输入放大单元的输出端；高频扼流单元包括电感L1，电感L1的一端连接到第二输入放大单元NMOS管M2的源极，电感L1的另一端接到地；负载单元包括电阻R4，电阻R4的一端连接第二输入放大单元的输出端，此端也是射频输出信号端，电阻R4的另一端连接电源电压。
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