[发明专利]一种高迁移率CMOS集成单元无效
| 申请号： | 201210480455.9 | 申请日： | 2012-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN102931193A | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 孙兵;刘洪刚;王盛凯;赵威 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L29/201 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体集成技术领域，公开了一种高迁移率CMOS集成单元，该CMOS集成单元是将NMOSFET和PMOSFET集成于同一基底之上，且NMOSFET和PMOSFET以隔离区相隔离。该高迁移率CMOS集成单元采用高电子和空穴迁移率的铟镓锑作为沟道材料，将铟镓锑沟道CMOS集成单元平面集成到砷化镓衬底上，具有取代传统硅基CMOS器件的潜力，在后摩尔时代具有实际的应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 迁移率 cmos 集成 单元 | ||
【主权项】：
一种高迁移率CMOS集成单元，其特征在于，该CMOS集成单元是将NMOSFET和PMOSFET集成于同一基底之上，且NMOSFET和PMOSFET以隔离区(9)相隔离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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