[发明专利]半导体器件及其制作方法

摘要

本发明涉及半导体器件及其制作方法。一种半导体器件具有带有多个半导体管芯的半导体晶片。接触焊盘形成在半导体管芯的表面上。半导体管芯被分离以形成围绕半导体管芯的外围区域。密封剂或绝缘材料被沉积在围绕半导体管芯的外围区域中。互连结构形成在半导体管芯和绝缘材料上方。互连结构具有小于半导体管芯上的接触焊盘的I/O密度的I/O密度。衬底具有与互连结构的I/O密度一致的I/O密度。半导体管芯利用将半导体管芯的接触焊盘电连接到衬底的第一导电层的互连结构被安装到衬底。均具有互连结构的多个半导体管芯可以被安装到衬底上。

主权项

1.一种制作半导体器件的方法，包括：提供第一衬底；提供半导体封装，其具有大于第一衬底的针对单位面积的输入/输出（I/O）密度的针对单位面积的第一I/O密度，其中，提供所述半导体封装包括：（a）提供第一半导体管芯；（b）在所述第一半导体管芯周围沉积绝缘材料；以及（c）在所述第一半导体管芯上方形成第一互连结构，并且在所述绝缘材料上方进一步延伸；通过形成第二互连结构而在所述第一互连结构上方提供I/O密度转换结构，其中与第一半导体管芯相对的第二互连结构的配合表面与第一衬底的第二I/O密度一致；以及将第一半导体管芯和I/O密度转换结构安装到第一衬底，其中所述I/O密度转换结构将半导体封装的第一I/O密度转换成所述第一衬底的第二I/O密度；并且所述第一I/O密度与所述第二I/O密度的扇出比（FR）被给定为FR= p2 * (N/d2)，其中，p是封装间距，N是每个管芯的非冗余I/O的数目，并且d是管芯尺寸。