[发明专利]具有图案化表面、图案化侧壁和局部隔离的硅通孔结构

摘要

本发明公开了一种为具有图案化表面、图案化侧壁和局部隔离的硅通孔结构以及制作该结构的方法。在一个实施例中，TSV结构包括一个从所述第一侧表面延伸到所述第二侧表面穿透芯片的通孔，其在第一侧表面有第一端，在第二侧表面有第二端。一局部隔离层沉积在通孔侧壁上和第一端周围的部分第一侧表面上。TSV结构还包括多个密集的微结构，其被安排成非随机图案，并被制作在所述第一端周围的的至少部分第一侧表面上，所述局部隔离层覆盖于所述微结构上，用于提高局部隔离层到芯片的粘附力。大部分微结构的深度至少为1μm。

主权项

一种为硅芯片的第一侧和第二侧之间提供电通路的硅通孔结构，其中所述第一侧有第一侧表面，所述第二侧有第二侧表面，所述通孔结构包括：一通孔，其从所述第一侧表面延伸到所述第二侧表面穿透所述芯片，其在所述第一侧表面有第一端，在所述第二侧表面有第二端；一局部隔离层，其被沉积在所述通孔的侧壁上和在所述第一端周围的至少部分第一侧表面上；多个密集的微结构，其被安排成非随机图案，并被制作在所述第一端周围的至少部分第一侧表面上，所述局部隔离层覆盖于所述微结构上，用于提高所述局部隔离层沉积于所述芯片的粘附力，其中大部分微结构的深度至少为1μm。