[发明专利]介电陶瓷组合物及其电子元器件制作方法无效
申请号: | 201210481234.3 | 申请日: | 2012-11-23 |
公开(公告)号: | CN102964122A | 公开(公告)日: | 2013-03-13 |
发明(设计)人: | 马艳红;张磊 | 申请(专利权)人: | 潮州三环(集团)股份有限公司 |
主分类号: | C04B35/49 | 分类号: | C04B35/49;C04B35/622 |
代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人: | 林伟斌 |
地址: | 521011 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开一种介电陶瓷组合物及其电子元器件制作方法,介电陶瓷组合物包括主晶相、改性添加剂及烧结助剂,其中,主晶相的结构式为(MgγSrαCa(1-α-γ))m(TiβZr1-β)O3,其中0≤α≤1,0≤γ≤1,0≤β≤0.1,0.9≤m≤1.1,改性添加剂为MnCO3,MgCO3,Re2O3中的一种或几种,其中Re2O3为稀土氧化物,烧结助剂包括BaCO3,CaCO3,SiO2,Li2CO3,B2O3,Al2O3中的一种或几种。本发明符合COG介质特性、介电常数在20~30之间且满足ROHS要求。使用本发明的陶瓷介质材料制得的MLCC具有较低介电损耗,优异介电常数温度系数和介电常数频率特性。 | ||
搜索关键词: | 陶瓷 组合 及其 电子元器件 制作方法 | ||
【主权项】:
一种介电陶瓷组合物,包括主晶相、改性添加剂及烧结助剂,其特征在于,主晶相的结构式为(MgγSrαCa(1‑α‑γ))m(TiβZr1‑β)O3,其中0≤α≤1,0≤γ≤1,0≤β≤0.1,0.9≤m≤1.1,改性添加剂为MnCO3,MgCO3,Re2O3中的一种或几种,其中Re2O3为稀土氧化物,烧结助剂包括BaCO3,CaCO3,SiO2,Li2CO3,B2O3,Al2O3中的一种或几种。
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