[发明专利]单晶长晶装置及长晶方法无效
| 申请号： | 201210482584.1 | 申请日： | 2012-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN103710741A | 公开（公告）日： | 2014-04-09 |
| 发明（设计）人： | 朴钟仁;李钟赞;金玹洙;洪荣坤 | 申请（专利权）人： | BIAM株式会社 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B29/20 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 吴俊 |
| 地址： | 韩国忠清*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种单晶长晶装置及长晶方法，对坩埚内部温度梯度更加准确、主动地控制，通过强化真空腔的结构、防止其长期使用时发生变形，最大限度地降低单晶成长时的长度方向上的残留应力、防止出现裂缝或破裂，增大单晶成长直径。为了达到上述目的，本发明的单晶长晶装置包括可上下移动地设置在腔体10内部的坩埚30，设置在坩埚30侧部的侧部加热器22，设置在坩埚30下部的下部加热器24，贯穿腔体10和下部加热器24到达坩埚30、可上下移动地设置的冷却棒40，驱动冷却棒40的驱动单元50，对侧部加热器22和下部加热器24各自加热条件、冷却棒40的上下运动条件分别进行控制的配电设备。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶长晶 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种单晶长晶装置，其特征在于：包括真空或非活性氛围腔体10；位于腔体10内部，为了培养籽晶A成长可按上下移动地设置的坩埚30；相对于坩埚30侧面整个周围、固定地设置的侧部加热器22；相对于坩埚30下部、固定地设置的下部加热器24；依次贯穿腔体10和下部加热器24到达坩埚30，可上下移动地设置的冷却棒40。
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