[发明专利]一种锗基MOSFET栅介质的制备方法无效
| 申请号： | 201210482786.6 | 申请日： | 2012-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN102931068A | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 孙兵;刘洪刚;王盛凯;赵威 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种锗基MOSFET栅介质的制备方法，包括：步骤1：清洗锗衬底表面；步骤2：在清洗后的锗衬底表面沉积阻挡层；步骤3：利用氧等离子体处理所述沉积了阻挡层的锗衬底表面，在阻挡层与锗衬底的界面处形成二氧化锗层；步骤4：在氧等离子体氧化后的锗衬底表面沉积高介电常数的栅氧化物层。利用本发明，可以将锗基MOSFET的等效氧化层厚度降低到1纳米以下，从而有效提高了锗基MOSFET的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mosfet 介质 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种锗基MOSFET栅介质的制备方法，其特征在于，包括：步骤1：清洗锗衬底表面；步骤2：在清洗后的锗衬底表面沉积阻挡层；步骤3：利用氧等离子体处理所述沉积了阻挡层的锗衬底表面，在阻挡层与锗衬底的界面处形成二氧化锗层；步骤4：在氧等离子体氧化后的锗衬底表面沉积高介电常数的栅氧化物层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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