[发明专利]具有增强疏水性的膜电极组件及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201210482803.6 申请日: 2012-11-23
公开(公告)号: CN103515623B 公开(公告)日: 2018-06-12
发明(设计)人: 洪普基;金世勋;文明芸;李光烈;吴奎焕;许殷奎 申请(专利权)人: 现代自动车株式会社;韩国科学技术研究院
主分类号: H01M4/88 分类号: H01M4/88;H01M4/86;H01M8/1004;H01M8/1067;H01M8/1086
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 龙淳
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 发明公开了具有增强疏水性的膜电极组件及其制造方法。具体而言,使用等离子体刻蚀在构成膜电极组件的催化剂层的表面上的催化剂载体中形成具有高高宽比的纳米图案。之后在形成于催化剂载体中的纳米图案上形成疏水薄膜。
搜索关键词: 膜电极组件 催化剂载体 纳米图案 疏水性 等离子体刻蚀 催化剂层 疏水薄膜 制造
【主权项】:
一种制造具有增强疏水性的膜电极组件的方法,所述膜电极组件包括聚合物电解质膜以及阳极与阴极的催化剂层,所述方法包括:通过催化剂层等离子体刻蚀在构成所述膜电极组件的每个所述催化剂层的表面上的催化剂载体中形成纳米图案;以及在形成于所述催化剂载体中的纳米图案上形成疏水薄膜,其中所述纳米图案包括精细的突起结构,其中所述催化剂载体包括球形碳粉颗粒,并且由于催化剂载体周围的刻蚀比催化剂周围的刻蚀更快,所述纳米图案形成在构成所述催化剂载体的所述球形碳粉颗粒中。
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