[发明专利]一种具有增益的紫外探测器结构及其制备方法

摘要

本发明公开了一种基于SiC的具有增益的紫外探测器及其制备方法，该紫外探测器包括：半绝缘SiC衬底；在该半绝缘SiC衬底上外延生长的p型缓冲SiC外延层；在该p型缓冲SiC外延层上外延生长的n型SiC外延层；在该n型SiC外延层上外延生长的n+型SiC外延层；部分刻蚀该n+型SiC外延层至露出该n型SiC外延层从而在该n型SiC外延层表面形成的条状凹栅区；在该条状凹栅区两侧未被刻蚀的该n+型SiC外延层上形成的源漏区欧姆接触源极和漏极；在该条状凹栅区上形成的透明肖特基势垒栅极；以及在欧姆接触源极、漏极与透明肖特基势垒栅极之间形成的钝化介质层。本发明提出的SiC紫外探测器结构，不需加高的偏置电压就可以获得较高的增益，并能够避免由于雪崩引起的额外噪声。

主权项

一种基于SiC的具有增益的紫外探测器，其特征在于，该紫外探测器包括：半绝缘SiC衬底；在该半绝缘SiC衬底上外延生长的p型缓冲SiC外延层；在该p型缓冲SiC外延层上外延生长的n型SiC外延层；在该n型SiC外延层上外延生长的n+型SiC外延层；部分刻蚀该n+型SiC外延层至露出该n型SiC外延层从而在该n型SiC外延层表面形成的条状凹栅区；在该条状凹栅区两侧未被刻蚀的该n+型SiC外延层上形成的源漏区欧姆接触源极和漏极；在该条状凹栅区上形成的透明肖特基势垒栅极；以及在欧姆接触源极、漏极与透明肖特基势垒栅极之间形成的钝化介质层。