[发明专利]一种基于硫化物的三掺杂电子俘获材料及其制备方法无效
| 申请号： | 201210483728.5 | 申请日： | 2012-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN102925154A | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 张家骅;王英;张霞;郝振东 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | C09K11/84 | 分类号： | C09K11/84 |
| 代理公司： | 长春菁华专利商标代理事务所 22210 | 代理人： | 王丹阳 |
| 地址： | 130033 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 一种基于硫化物的三掺杂电子俘获材料及其制备方法，涉及发光及光存储技术领域，解决了现有的Eu2+, Sm3+双稀土掺杂的硫化物体系光激励发光强度弱、光存储性能低的问题。该电子俘获材料的化学式为Sr1-x-y-zEuxSmyRezS，其中，Re代表Er、Dy、Tm、Yb、Tb或Gd；x、y、z为元素摩尔分数，取值范围为：0.0001≤ x ≤ 0.02，0.0001 ≤y ≤ 0.02，0.0001≤z ≤ 0.006。本发明的电子俘获材料的电子存储量比硫化物Eu2+， Sm3+双掺杂材料中电子存储量提高了1～4倍，材料的光激励发光强度和存储性能都得到有效地提高，更能满足商品化的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 硫化物 掺杂 电子 俘获 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于硫化物的三掺杂电子俘获材料，其特征在于，该电子俘获材料的化学式为Sr1‑x‑y‑zEuxSmyRezS，其中，Re代表Er、Dy、Tm、Yb、Tb或Gd；x、y、z为元素摩尔分数，取值范围为：0.0001≤ x ≤ 0.02，0.0001 ≤y ≤ 0.02，0.0001≤z ≤ 0.006。
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