[发明专利]引晶工艺生产掺杂态α-氢氧化镍正极材料的方法无效
| 申请号： | 201210483751.4 | 申请日： | 2012-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN102945964A | 公开（公告）日： | 2013-02-27 |
| 发明（设计）人： | 黎福根;唐怀远 | 申请（专利权）人： | 湖南丰日电源电气股份有限公司 |
| 主分类号： | H01M4/62 | 分类号： | H01M4/62;H01M4/52 |
| 代理公司： | 长沙市融智专利事务所 43114 | 代理人： | 潘传军 |
| 地址： | 410311 湖南省长*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种引晶工艺生产掺杂态α-氢氧化镍正极材料的方法，首先制备纳米级α-Ni(OH)2作为晶种：所述的纳米级α-Ni(OH)2晶种的晶体尺寸为5-100纳米；所述纳米级α-Ni(OH)2晶种的制备方法采用超声波作为辅助条件，采用共沉积法制备；然后使用该晶种采用引晶工艺制备掺杂态α-Ni(OH)2正极材料，所述掺杂态α-Ni(OH)2正极材料主要的制备材料为镍盐，采用铝离子和锰离子为掺杂剂。本发明生产成本大幅度降低；同时生产周期只需要12小时左右，α-Ni(OH)2结晶较为完整，提高了振实密度，有利于提高活性物质的填涂量；而且提高了电极的循环寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 工艺 生产 掺杂 氢氧化 正极 材料 方法 | ||
【主权项】：
引晶工艺生产掺杂态α‑氢氧化镍正极材料的方法，其特征在于，首先制备纳米级α‑Ni(OH)2作为晶种：所述的纳米级α‑Ni(OH)2晶种的晶体尺寸为5‑100纳米；所述纳米级α‑Ni(OH)2晶种的制备方法采用超声波作为辅助条件，采用共沉积法制备；然后使用该晶种采用引晶工艺制备掺杂态α‑Ni(OH)2正极材料，所述掺杂态α‑Ni(OH)2正极材料主要的制备材料为镍盐，采用铝离子和锰离子为掺杂剂。
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