[发明专利]电极的制造方法、熔丝装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201210483777.9 | 申请日： | 2012-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN103839919B | 公开（公告）日： | 2018-09-14 |
| 发明（设计）人： | 李莹;吴关平 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525;H01L21/28;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 曲瑞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本公开涉及电极的制造方法、熔丝装置及其制造方法。所述熔丝装置包括：熔丝元件，所述熔丝元件包含相变材料；以及第一电极，所述第一电极与所述熔丝元件接触，并且所述第一电极在与所述熔丝元件接触的部分处具有亚光刻尺寸。根据本公开，熔丝装置的断开电流相比于相关技术能够被减小。 | ||
| 搜索关键词： | 电极 制造 方法 装置 及其 | ||
【主权项】：
1.一种制造电极的方法，包括以下步骤：在衬底上依次形成第一电介质层、第二电介质层和第三电介质层；通过第一蚀刻处理，在所述第三电介质层和所述第二电介质层中形成第一通孔；在所述第三电介质层上形成第四电介质层，所述第四电介质层覆盖所述第一通孔的侧壁和底壁；通过第二蚀刻处理，去除所述第一通孔的底壁上的所述第四电介质层以露出所述第一电介质层，而保留所述第一通孔的侧壁上的所述第四电介质层；通过以所述第一通孔的侧壁上的所述第四电介质层作为蚀刻阻挡层进行第三蚀刻处理，在所述第一电介质层中形成从露出的所述第一电介质层至所述衬底的第二通孔；在所述第二通孔中填充电极材料；以及通过抛光处理，形成嵌入在所述第一电介质层中的所述电极；其中，所述第一电介质层和所述第三电介质层的材料为硅氧化物；所述第二电介质层的材料为硅氮化物；所述抛光处理停止在所述第一电介质层的表面。
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