[发明专利]等离子体增强化学气相沉积电极板装置、沉积方法及沉积装置有效

专利信息
申请号: 201210483923.8 申请日: 2012-11-23
公开(公告)号: CN102994982A 公开(公告)日: 2013-03-27
发明(设计)人: 张治超;孙亮;赵海廷;郭总杰;刘正 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司
主分类号: C23C16/50 分类号: C23C16/50
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 罗建民;陈源
地址: 100015 北*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种等离子体增强化学气相沉积电极板装置、沉积方法及沉积装置。本发明的等离子体增强化学气相沉积电极板装置包括用于与要进行等离子体增强化学气相沉积的基板相接触的等离子体增强化学气相沉积电极板,以及能在所述基板上产生与基板平行的电场的电极块。该装置可以在基板上形成水平的电场,从而驱动基板上的电荷运动,使电荷被中和,或在电路图形中移动时耗散,故可以大大减少等离子体在化学气相沉积的基板表面上沉积材料层过程中的电荷积累,避免基板上发生静电释放。该装置还可改变基板上的局部电场,从而改变局部的成膜速度,以提高等离子体增强化学气相沉积控制处理操作的均匀性,在基底的表面上形成薄厚均匀的材料层。
搜索关键词: 等离子体 增强 化学 沉积 极板 装置 方法
【主权项】:
一种等离子体增强化学气相沉积电极板装置,包括用于与要进行等离子体增强化学气相沉积的基板相接触的等离子体增强化学气相沉积电极板,其特征在于,所述等离子体增强化学气相沉积电极板装置还包括:能在所述基板上产生与所述基板平行的电场的电极块。
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