[发明专利]测量深沟槽内载流子浓度分布的方法有效
| 申请号： | 201210484039.6 | 申请日： | 2012-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN103837807B | 公开（公告）日： | 2016-11-09 |
| 发明（设计）人： | 成鑫华;刘继全 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26;G01Q60/46 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王函 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种测量深沟槽内载流子浓度分布的方法，包括如下步骤：1）在硅外延层或半导体衬底上形成沟槽；2）利用硅外延层填充沟槽；3）平坦化沟槽顶部；4）在沟槽顶部生长预知载流子浓度的多层硅外延层；5）利用SCM（扫描电容显微镜）测量沟槽顶部的各层硅外延层的dC/dV值，并作出dC/dV与载流子浓度的曲线图；6）利用SCM测量沟槽内硅外延层的dC/dV值，并根据步骤5）中的dC/dV与载流子浓度的曲线图求得对应沟槽内硅外延层的载流子浓度。本发明采用SCM的方法，可以方便、快捷、准确的测量深沟槽硅体内的载流子的浓度及其分布。 | ||
| 搜索关键词： | 测量 深沟 载流子 浓度 分布 方法 | ||
【主权项】：
一种测量深沟槽内载流子浓度分布的方法，其特征在于，包括如下步骤：1)在硅外延层或半导体衬底上形成沟槽；2)利用硅外延层填充沟槽；3)平坦化沟槽顶部；4)在沟槽顶部生长预知载流子浓度的多层硅外延层；5)利用SCM测量沟槽顶部的各层硅外延层的dC/dV值，并作出dC/dV与载流子浓度的曲线图；6)利用SCM测量沟槽内硅外延层的dC/dV值，并根据步骤5)中的dC/dV与载流子浓度的曲线图求得对应沟槽内硅外延层的载流子浓度。
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