[发明专利]存储元件和存储设备有效

专利信息
申请号: 201210484675.9 申请日: 2012-11-23
公开(公告)号: CN103137852A 公开(公告)日: 2013-06-05
发明(设计)人: 肥后丰;细见政功;大森广之;别所和宏;浅山徹哉;山根一阳;内田裕行 申请(专利权)人: 索尼公司
主分类号: H01L43/08 分类号: H01L43/08;H01L43/02;G11C11/15
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 余刚;吴孟秋
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供了一种存储元件和存储设备。存储元件包括分层结构:存储层,其具有根据信息来变化的磁化方向,通过在分层结构的层压方向上施加电流来改变磁化方向以将信息记录在存储层中,存储层包括第一铁磁层,其具有倾斜于与膜表面垂直的方向的磁化方向,键合层,其层压在第一铁磁层上,以及第二铁磁层,其层压在键合层上并经由键合层与第一铁磁层键合,第二铁磁层具有倾斜于与膜表面垂直的方向的磁化方向;磁化固定层,其具有固定的磁化方向;中间层,其被配置在存储层与磁化固定层之间,并与第一铁磁层接触;以及覆盖层,其与第二铁磁层接触。
搜索关键词: 存储 元件 设备
【主权项】:
一种存储元件,包括:分层结构,其包括:存储层,其具有根据信息来变化的磁化方向,通过在所述分层结构的层压方向上施加电流来改变所述磁化方向以将信息记录在所述存储层中,所述存储层包括:第一铁磁层,其具有倾斜于与膜表面垂直的方向的磁化方向,键合层,其层压在所述第一铁磁层上,以及第二铁磁层,其层压在所述键合层上,并经由所述键合层与所述第一铁磁层键合,所述第二铁磁层具有倾斜于与所述膜表面垂直的方向的磁化方向,所述第一铁磁层和所述第二铁磁层中的一个铁磁层是主要发生面内磁化的面内磁化层,另一铁磁层是主要发生垂直磁化的垂直磁化层;磁化固定层,其具有固定的磁化方向;中间层,其被配置在所述存储层与所述磁化固定层之间,并与所述第一铁磁层接触;以及覆盖层,其与所述第二铁磁层接触。
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