[发明专利]一种具有多膜块透明导电层的GaN基发光二极管及其制作方法在审
| 申请号： | 201210485519.4 | 申请日： | 2012-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN105118906A | 公开（公告）日： | 2015-12-02 |
| 发明（设计）人： | 武胜利;肖志国;刘琦;闫晓红;李倩影;唐勇 | 申请（专利权）人： | 大连路美芯片科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/42 | 分类号： | H01L33/42;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 116600 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有多膜块透明导电层的GaN基发光二极管及其制作方法。发光二极管中发光平台表面的ITO透明导电层是各自独立的膜块，它们之间由Ni/Au导电材料连接起来，分立的透明导电膜块之间的距离是6-20μm，导电介质可以是NiAu、ZnO，起到导通ITO膜块的作用。通过制备多膜块的透明导电层，可以降低大尺寸芯片整体ITO导电层的应力，改善芯片在长时间电流作用下ITO材料与GaN接触特性变差的情况。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 多膜块 透明 导电 gan 发光二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种具有多膜块透明导电层的GaN基发光二极管，包括蓝宝石衬底、GaN外延层、透明导电层、P、N电极(打线盘)，其特征在于，所述的透明导电层是由导电介质连接的多个分立的透明膜块构成。
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