[发明专利]生长在金属Ag衬底上的GaN单晶薄膜及其制备方法、应用有效
| 申请号： | 201210485524.5 | 申请日： | 2012-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN102945899A | 公开（公告）日： | 2013-02-27 |
| 发明（设计）人： | 李国强 | 申请（专利权）人： | 广州市众拓光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/02;H01L33/32 |
| 代理公司： | 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 | 代理人： | 汤喜友 |
| 地址： | 510000 广东省广州市广州*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种生长在金属Ag衬底上的GaN单晶薄膜，其采用以下方法制得：采用金属Ag为衬底，选择Ag衬底的（111）晶面偏向（100）方向0.5°－1°的晶体取向，在金属单晶Ag(111)衬底上生长出外延AlN单晶薄膜，接着再生长出外延GaN单晶薄膜。本发明的生长在金属Ag衬底上的GaN单晶薄膜可应用于LED器件、光电探测器、太阳能电池器件、激光器、薄膜体声波谐振器中。本发明采用了Ag作为衬底，且选择合适的晶体取向，无论是在缺陷密度、表面粗糙度、还是在结晶质量方面均具有优异性能，达到甚至超过目前已经报道的应用传统衬底获得的GaN单晶薄膜的相关结果。 | ||
| 搜索关键词： | 生长 金属 ag 衬底 gan 薄膜 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种生长在金属Ag衬底上的GaN单晶薄膜的制备方法，其特征在于：采用金属Ag为衬底，选择Ag衬底的（111）晶面偏向（100）方向0.5－1°的晶体取向，在金属单晶Ag(111)衬底上生长出外延AlN单晶薄膜，接着再生长出外延GaN单晶薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广州市众拓光电科技有限公司，未经广州市众拓光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210485524.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：底切工具
- 下一篇：用于金属检测中的滑动门图形取消的方法和系统
