[发明专利]半导体元件及其制作方法有效
| 申请号： | 201210486973.1 | 申请日： | 2012-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN103633028A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 梁育玮;洪海涵;吴珮琦 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L21/28;H01L27/092;H01L29/423 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张艳杰;张浴月 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 发明一实施例提供一种半导体元件及其制作方法，其中该方法包括：提供一第一导电类型的第一多晶硅层于一基板上，基板具有一第一与一第二有源区；对第一多晶硅层的对应第二有源区的部分进行一第一离子注入工艺，并采用一第二导电类型的掺杂物，第二导电类型相反于第一导电类型，且在第一离子注入工艺中导入硅烷等离子体以形成一第二多晶硅层于第一多晶硅层上，并将第一多晶硅层对应第二有源区的部分的第一导电类型转换成第二导电类型；以及图案化第一与第二多晶硅层以形成一对应第一有源区的第一栅极层以及一对应第二有源区的第二栅极层。采用上述技术方案，能够解决因离子注入工艺而使半导体元件中的多晶硅层损失的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体元件的制作方法，包括：提供一第一导电类型的第一多晶硅层于一基板上，其中该基板具有一第一有源区与一第二有源区；对该第一多晶硅层的对应该第二有源区的部分进行一第一离子注入工艺，并采用一第二导电类型的掺杂物，其中该第二导电类型相反于该第一导电类型，且在该第一离子注入工艺中导入硅烷等离子体以形成一第二多晶硅层于该第一多晶硅层上，并将该第一多晶硅层的对应该第二有源区的部分的该第一导电类型转换成该第二导电类型；以及图案化该第一多晶硅层与该第二多晶硅层以形成一对应该第一有源区的第一栅极层以及一对应该第二有源区的第二栅极层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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