[发明专利]一种立方氮化硼-碳化硅复相陶瓷材料的制备方法及其产品

摘要

本发明涉及一种立方氮化硼-碳化硅复相陶瓷材料的制备方法，其特征是按重量百分比将60~80%的立方氮化硼颗粒、10~15%的粘结剂，10~15%的碳粉，0~10%的硅粉湿混12~24h，得到混合粉体；混合粉体在300℃和20~45MPa压力下成形得到生坯；生坯经热处理后，得到立方氮化硼复相陶瓷毛坯；将毛坯放置于石墨坩埚中，在毛坯上放置适当数量的粉体或块体的硅，在优于10-2Pa的真空环境下，在1480~1550℃下保温1h，得到烧结坯；烧结坯随炉冷却后得到致密的立方氮化硼-碳化硅复相陶瓷材料。该工艺是一种获得高致密度、高含量立方氮化硼-碳化硅复相陶瓷的低成本高效率制备方法，制备的复相陶瓷可以但不限于作为超硬材料应用于多种耐磨工程领域。

主权项

一种立方氮化硼‑碳化硅复相陶瓷材料的制备方法，其特征是制备方法包括如下步骤： 步骤一，将质量百分比为60~80%的立方氮化硼颗粒、10~15%的酚醛树脂、10~15%的碳粉、0~10%的硅粉组成的混合粉体100份，与工业酒精100份，在高能球磨机上湿混球磨12~24 小时，球磨后的粉末经80℃烘干后，过200目筛，取筛下物作为混合粉料，将该混合粉料在300℃和20~45MPa压力下成形得到生坯；步骤二，将生坯在800~900℃下保温处理1 h后，得到立方氮化硼陶瓷毛坯；步骤三，将立方氮化硼陶瓷毛坯放置于石墨坩埚中，在毛坯上放置毛坯重量的0.1~0.3倍的粉体或块体的硅，在1×10‑2~1×10‑3Pa的真空环境下，在1480~1550℃下保温1~2小时，得到烧结坯；步骤四，将步骤三所得到的烧结坯随炉冷却后即制成立方氮化硼‑碳化硅复相陶瓷材料。