[发明专利]外延片量子阱结构的制备方法有效
| 申请号： | 201210491167.3 | 申请日： | 2012-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN103840044B | 公开（公告）日： | 2016-10-26 |
| 发明（设计）人： | 肖怀曙 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 张大威 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提出一种外延片量子阱结构的制备方法，包括：提供衬底；在衬底之上形成本征氮化镓层；在本征氮化镓层之上形成第一类型的氮化镓层；在第一类型的氮化镓层之上形成氮化镓/铟镓氮的量子阱结构，其中，氮化镓量子垒在第一温度、第一压强条件下、第一气氛中形成，铟镓氮量子阱在第二温度、第二压强下、第二气氛中形成；在阻挡层之上形成第二类型的氮化镓层，其中，第一温度高于第二温度，第一压强高于第二压强，第一气氛的气体比热容低于第二气氛的气体比热容。本发明具有温度转换快，生产效率高，所得到的量子阱质量好的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 量子 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种外延片量子阱结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供衬底；在所述衬底之上形成本征氮化镓层；在所述本征氮化镓层之上形成第一类型的氮化镓层；在所述第一类型的氮化镓层之上形成氮化镓/铟镓氮的量子阱结构，其中，氮化镓量子垒在第一温度、第一压强条件下、第一气氛中形成，铟镓氮量子阱在第二温度、第二压强条件下、第二气氛中形成；在所述量子阱结构之上形成第二类型的氮化镓层，其中，所述第一温度高于所述第二温度，所述第一压强高于第二压强，所述第一气氛的气体摩尔比热容低于所述第二气氛的气体摩尔比热容。
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