[发明专利]一种硅基绝缘体上硅衬底结构及其制备方法无效
| 申请号： | 201210491259.1 | 申请日： | 2012-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN103839947A | 公开（公告）日： | 2014-06-04 |
| 发明（设计）人： | 王盛凯;刘洪刚;孙兵;赵威 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/762 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅基绝缘体上硅衬底结构及其制备方法，该硅衬底结构包括：硅衬底；形成于该硅衬底之上的结晶氧化物层；以及形成于该结晶氧化物层之上的结晶硅层。本发明提供的硅基绝缘体上硅衬底结构及其制备方法，通过在硅衬底表面沉积结晶氧化物层，再在结晶氧化物层表面上沉积单晶硅层，从而实现了方便地在绝缘体上制备极薄硅层，具有可大面积生长、散热性能好、衬底绝缘性能好、以及制备成本低廉等优点，可以方便在大尺寸晶圆上制备全耗尽硅基器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 绝缘体 衬底 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种硅基绝缘体上硅衬底结构，其特征在于，所述硅衬底结构包括：硅衬底；形成于该硅衬底之上的结晶氧化物层；以及形成于该结晶氧化物层之上的结晶硅层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
