[发明专利]用于等离子体处理器的磁场分布调节装置及其调节方法

摘要

本发明涉及一种用于等离子体处理器的磁场分布调节装置及其调节方法，在同圆心布置在反应腔大气侧的多组线圈上分别施加直流电源，并且对应调整电流的大小及方向，使各组线圈分别产生的低频的静磁场在叠加后，在沿晶片径向位置划分的不同区域能够获得强度不同的复合磁场，在复合磁场强度大的区域，等离子体的密度相对更高，在复合磁场强度小的区域，等离子体的密度相对较低，从而对等离子体在晶片上径向位置的分布进行控制，以抵消原先等离子体分布不均匀的影响，改善对晶片径向不同位置刻蚀处理的均匀性。

主权项

一种用于等离子体处理器的磁场分布调节装置，所述等离子体处理器中包含一个反应腔（1），该反应腔（1）的内部形成一个真空的密闭空间，在所述反应腔（1）内的顶部和底部平行设置有一对平板式的上电极（2）和下电极（3），使得其中一个电极上连接有至少一个射频源，从而在上电极（2）和下电极（3）之间产生射频电场，将引入反应腔（1）内的反应气体电离形成等离子体，对放置在上电极（2）和下电极（3）之间并由基座（4）支撑的晶片（5）进行处理，其特征在于，所述磁场分布调节装置，包含至少两组同圆心布置的线圈，所述线圈位于所述反应腔（1）的密闭空间外侧；所述晶片（5）及晶片（5）上方沿径向划分有至少两个同圆心布置的调节区域，使得由各个线圈分别所围成的区域与各个所述调节区域在晶片（5）径向上分布的位置一一对应；每组线圈各自与一个独立的、电流可调节的直流电源连接，来产生能够穿过反应腔（1）的腔体而进入真空侧的低频的静磁场，各组线圈的所述磁场在各个调节区域中叠加形成复合磁场。