[发明专利]测定四氟化硅气体中杂质碘含量的方法有效
| 申请号： | 201210493730.0 | 申请日： | 2012-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN103091271A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 唐安江;刘松林;张妙鹤;汤正河;张瑞;韦德举;龚孝祥 | 申请（专利权）人： | 贵州瓮福蓝天氟化工股份有限公司;贵州大学 |
| 主分类号： | G01N21/33 | 分类号： | G01N21/33 |
| 代理公司： | 贵阳中工知识产权代理事务所 52106 | 代理人： | 刘安宁 |
| 地址： | 550500 贵州省黔南布依*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | 本发明公开了测定四氟化硅气体中杂质碘含量的方法，包括以下步骤：第一步，配置100mLNaOH或KOH吸收液；第二步，连接好冷冻装置；第三步，用惰性气体置换整个管路中的空气，然后抽真空，反复5次；第四步，将经浓硫酸吸收、含氟化氢的浓硫酸吸收、活性炭、硅藻土净化后的SiF4气体引入冷冻装置，除去HI以及I2；第五步，将冷冻后的SiF4气体引入吸收瓶吸收，控制增重量m；第六步，用紫外分光光度法分析气体中的碘含量。本发明方法用于四氟化硅中杂质碘的分析，可以准确、迅速地测定碘杂质的含量，有利于高纯度四氟化硅的生产。适用于生产四氟化硅的企业。 | ||
| 搜索关键词： | 测定 氟化 气体 杂质 含量 方法 | ||
【主权项】：
测定四氟化硅中的碘含量的方法，其特征包括如下步骤：第一步，配置100mL NaOH或KOH吸收液；第二步，连接好冷冻装置；第三步，用惰性气体置换整个管路中的空气，然后抽真空，反复5次；第四步，将经浓硫酸吸收、含氟化氢的浓硫酸吸收、活性炭、硅藻土净化后的SiF4气体引入冷冻装置，除去HI以及I2；第五步，将冷冻后的SiF4气体引入吸收瓶吸收，控制增重量m；第六步，用紫外分光光度法分析气体中的碘含量。
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