[发明专利]具有钝化以及栅极电介质多层结构的GaN高压HFET有效
| 申请号： | 201210494905.X | 申请日： | 2012-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN103137476A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | J·拉姆德尼;L·刘;J·P·爱德华兹 | 申请（专利权）人： | 电力集成公司 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L29/778 |
| 代理公司： | 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 | 代理人： | 徐燕;杨勇 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种制备用于功率晶体管器件的多层结构的方法，包括：在一个反应腔内，执行氮等离子体撞击，导致直接在基于氮化物的有源半导体层上形成氮化物层。然后，将氮化物层的顶面暴露至第二源。随后的氮氧等离子体撞击导致直接在所述氮化物层上形成氮氧化物层。所述氮化物层包括一个钝化层，所述氮氧化物层包括所述功率晶体管器件的栅极电介质。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 钝化 以及 栅极 电介质 多层 结构 gan 高压 hfet | ||
【主权项】：
一种制备用于功率晶体管器件的多层结构的方法，包括：（a）将具有基于氮化物的有源半导体层的晶圆装载到一个反应腔中；（b）在所述反应腔内，将所述基于氮化物的有源半导体层的顶面暴露至第一源；（c）在所述反应腔内，执行氮（N）等离子体撞击，导致直接在所述基于氮化物的有源半导体层上形成一个氮化物层；（d）在所述反应腔内，将所述氮化物层的顶面暴露至第二源；以及（e）在所述反应腔内，执行氮氧等离子体撞击，导致直接在所述氮化物层上形成氮氧化物层，其中所述氮化物层包括一个钝化层，所述氮氧化物层包括所述功率晶体管器件的栅极电介质。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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