[发明专利]石墨烯器件用的具有低等效氧化物厚度的双层栅极电介质有效
| 申请号： | 201210495135.0 | 申请日： | 2012-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN103247679A | 公开（公告）日： | 2013-08-14 |
| 发明（设计）人： | C·D·迪米特罗普洛斯;D·B·法默;A·格里尔;林佑民;D·A·诺伊迈尔;D·法伊弗;朱文娟 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/51;H01L29/10;H01L21/336;H01L21/285 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 于静;张亚非 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及石墨烯器件用的具有低等效氧化物厚度的双层栅极电介质。在石墨烯层的最上表面上设置氮化硅层，然后在所述氮化硅层的最上表面上设置二氧化铪层。所述氮化硅层用作所述二氧化铪层的润湿剂，由此阻止在所述石墨烯层的顶上形成不连续的二氧化铪柱。一起形成低EOT双层栅极电介质的氮化硅层和二氧化铪层在石墨烯层的顶上呈现连续的形态。 | ||
| 搜索关键词： | 石墨 器件 具有 等效 氧化物 厚度 双层 栅极 电介质 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包括：石墨烯层，其位于基础基板的最上表面上；以及双层栅极电介质，其位于所述石墨烯层的最上表面上，其中所述双层栅极电介质从底部到顶部包括氮化硅层和HfO2层，其中所述氮化硅层和所述HfO2连续地存在于所述石墨烯层的最上表面的顶上。
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