[发明专利]一种实现镓砷锑双异质结双极型晶体管基极金属化的方法

摘要

本发明是一种实现镓砷锑双异质结双极型晶体管基极金属化的方法，其主要步骤如下：光刻发射极图形，蒸发金属并剥离形成发射极金属；以发射极金属为掩膜，利用湿法腐蚀工艺腐蚀掉发射区；淀积介质薄膜以保护住基区材料；光刻基极图形，以基极图形的光刻胶为掩膜刻蚀掉基极上方的介质薄膜；蒸发金属并剥离形成基极金属；以基极金属和发射极金属为掩膜，利用干法刻蚀工艺刻蚀掉器件周围的介质薄膜。该方法的优点是：整个工艺过程中基区材料不会与显影液直接接触，避免了基区材料（镓砷锑）被显影液腐蚀，从而有效保护基区材料。

主权项

一种实现镓砷锑双异质结双极型晶体管基极金属化的方法，其特征是该方法包括以下步骤：一、在磷化铟InP衬底上外延出镓砷锑双异质结双极型晶体管GaAsSb DHBT的外延层，GaAsSb DHBT的外延层自磷化铟InP衬底向上依次为：集电区、基区、发射区，集电区材料为磷化铟InP，基区材料为镓砷锑GaAsSb，发射区材料为磷化铟InP；二、光刻发射极图形，蒸发金属并进行剥离，形成发射极金属，以发射极金属为掩膜，利用湿法腐蚀工艺腐蚀掉发射区；三、淀积介质薄膜，利用介质薄膜保护住基区材料，淀积的介质薄膜是氮化硅SiN或者二氧化硅SiO2；四、光刻基极图形，以基极图形的光刻胶为掩膜，利用干法刻蚀工艺刻蚀掉基极上方的介质薄膜；五、蒸发金属并进行剥离，形成基极金属；六、以基极金属和发射极金属为掩膜，利用干法刻蚀工艺刻蚀掉器件周围的介质薄膜。