[发明专利]物理气相沉积装置有效
| 申请号： | 201210495442.9 | 申请日： | 2012-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN103849848B | 公开（公告）日： | 2016-08-31 |
| 发明（设计）人： | 陈鹏;赵梦欣;丁培军;王厚工;武学伟;刘建生;耿波;邱国庆;文莉辉 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | C23C14/40 | 分类号： | C23C14/40;C23C14/08 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 黄德海 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种物理气相沉积装置，包括：反应腔室；基片支撑部件，所述基片支撑部件设置在所述反应腔室的底部且与所述溅射靶材相对；直流电源，所述直流电源耦接于所述溅射靶材；射频电源，所述射频馈入部件耦接于所述溅射靶材，所述射频馈入部件包括分配环和沿所述分配环的周向间隔设置的多条分配条，所述分配环与所述射频电源耦接，所述分配环通过所述分配条耦接至所述溅射靶材。根据本发明实施例的物理气相沉积装置，降低了在靶材上产生的负偏压，进而减小了对基片或晶圆产生的损伤，且明显提高了沉积速率，从而提高了工艺效率。 | ||
| 搜索关键词： | 物理 沉积 装置 | ||
【主权项】：
一种物理气相沉积装置，包括：反应腔室，其包含有顶壁、溅射靶材及基片支撑部件，所述溅射靶材与所述顶壁邻近，所述基片支撑部件设置在所述反应腔室中且与所述溅射靶材相对；直流电源，所述直流电源耦接于所述溅射靶材；射频电源，所述射频电源的输出端与射频匹配器和射频馈入部件顺次连接，所述射频馈入部件包括分配环和沿所述分配环的周向间隔设置的多条分配条，所述分配环通过所述分配条耦接至所述溅射靶材，所述射频馈入部件通过所述分配环耦接于所述射频电源。
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