[发明专利]一种超级结外延CMP工艺方法

摘要

本发明公开了一种超级结外延CMP工艺方法，在多晶硅沟槽栅制作后不做回刻，而是直接完成沟槽回刻及沟槽外延生长的工艺，外延生长结束后再做CMP工艺，该步CMP可以同时完成沟槽栅多晶硅及沟槽外延的研磨，并保证两者表面的平坦性，防止外延残留的问题。

主权项

一种超级结外延CMP工艺方法，其特征在于：包含如下工艺步骤：第1步，在硅衬底上进行栅沟槽刻蚀，并淀积一层氧化层；第2步，器件表面淀积多晶硅，多晶硅填充满整个栅沟槽；第3步，器件表面再淀积氧化膜阻挡层；第4步，光刻及刻蚀打开阻挡层窗口，使硅衬底露出；阻挡层打开分氧化膜阻挡层刻蚀，多晶硅刻蚀以及氧化层刻蚀三步第5步，对阻挡层打开区域的硅衬底进行外延沟槽刻蚀；第6步，去除多晶硅上的氧化膜阻挡层；第7步，器件表面淀积一层外延，填充满所刻蚀的外延沟槽；第8步，进行CMP研磨，研磨停留在硅衬底表面的氧化层上；CMP研磨采用多晶硅CMP，硅衬底表面的氧化层作为多晶硅CMP工艺的研磨阻挡层。