[发明专利]薄膜静态腐蚀速率测量方法无效
| 申请号： | 201210496284.9 | 申请日： | 2012-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN103852410A | 公开（公告）日： | 2014-06-11 |
| 发明（设计）人： | 蔡鑫元;荆建芬;张建;王雨春 | 申请（专利权）人： | 安集微电子（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G01N17/00 | 分类号： | G01N17/00 |
| 代理公司： | 上海翰鸿律师事务所 31246 | 代理人： | 李佳铭 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区张*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种薄膜静态腐蚀速率的测量方法。该方法包括：在晶片的衬底上形成薄膜，将晶片的一部分浸泡在化学机械抛光液中，浸泡一段时间后用轮廓仪测量界面处的高度差，从而得到该薄膜的静态腐蚀速率。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 静态 腐蚀 速率 测量方法 | ||
【主权项】：
一种静态腐蚀速率的测量方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）将晶片的一部分浸泡在抛光液中，另一部分在液面上；（2）浸泡一段时间后取出使用轮廓仪测量液面内外薄膜的高度差。
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