[发明专利]晶体管的形成方法

摘要

一种晶体管的形成方法，包括：提供具有有源区的半导体衬底，在有源区内进行离子注入形成掺杂层，所注入的离子p型或n型，掺杂层的表面与半导体衬底表面齐平；采用热退火工艺激活掺杂层；在热退火工艺之后，在掺杂层的表面形成介质层和伪栅极层，介质层覆盖伪栅极层的侧壁，且介质层的顶部表面与伪栅极层的顶部表面齐平；以介质层为掩膜，刻蚀伪栅极层和掺杂层，直至贯穿掺杂层的厚度，并暴露出半导体衬底的有源区为止，形成开口；在开口底部形成半导体层，半导体层的表面不高于半导体衬底的表面；在形成半导体层之后，在开口内形成高K金属栅极结构。所述晶体管的形成方法所形成的晶体管能够抑制漏电流及短沟道效应，改善晶体管的性能。

主权项

一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供具有有源区的半导体衬底，在所述有源区内进行离子注入形成掺杂层，所注入的离子p型或n型，所述掺杂层的表面与半导体衬底表面齐平；采用热退火工艺激活所述掺杂层；在所述热退火工艺之后，在所述掺杂层的表面形成介质层和伪栅极层，所述介质层覆盖所述伪栅极层的侧壁，且所述介质层的顶部表面与所述伪栅极层的顶部表面齐平；以所述介质层为掩膜，刻蚀所述伪栅极层和掺杂层，直至贯穿所述掺杂层的厚度，并暴露出半导体衬底的有源区为止，形成开口；在所述开口底部形成半导体层，所述半导体层的表面不高于半导体衬底的表面；在形成所述半导体层之后，在所述开口内形成高K金属栅极结构。