[发明专利]栅极的制作方法无效
| 申请号： | 201210496608.9 | 申请日： | 2012-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN102931069A | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 周军 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种栅极的制作方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有多晶硅层、硬掩膜层、抗反射层和光刻胶层；以所述抗刻蚀层和光刻胶层为掩膜，对硬掩膜层进行刻蚀；采用SiCoNi工艺对刻蚀后的硬掩膜层进行消减，直至消减后的硬掩膜层的特征尺寸达到工艺要求；以消减后的硬掩膜层为掩膜，刻蚀所述多晶硅层，形成栅极。本发明能更加精确地控制硬掩膜层削减时的厚度和形貌，最终能够获得更小的CD的栅极并能够改善栅极的形貌。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极 制作方法 | ||
【主权项】：
一种栅极的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有多晶硅层、硬掩膜层、抗反射层和光刻胶层；以所述抗刻蚀层和光刻胶层为掩膜，对硬掩膜层进行刻蚀；采用SiCoNi工艺对刻蚀后的硬掩膜层进行消减，直至消减后的硬掩膜层的特征尺寸达到工艺要求；以消减后的硬掩膜层为掩膜，刻蚀所述多晶硅层，形成栅极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司，未经上海华力微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210496608.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：平面显示器的扬声器结构
- 下一篇：平台构造组件和水上浮动结构及其制备方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
