[发明专利]一种氮化硅增韧陶瓷的制备方法无效

专利信息
申请号: 201210496627.1 申请日: 2012-11-28
公开(公告)号: CN103011872A 公开(公告)日: 2013-04-03
发明(设计)人: 李东炬;甄恒洲 申请(专利权)人: 大连大友高技术陶瓷有限公司
主分类号: C04B35/81 分类号: C04B35/81;C04B35/584;C04B35/622
代理公司: 大连东方专利代理有限责任公司 21212 代理人: 赵淑梅
地址: 116000 辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 发明涉及一种氮化硅增韧陶瓷的制备方法,属于陶瓷制备领域。本发明提供一种氮化硅增韧陶瓷的制备方法,包括混料、球磨和烧结的步骤,所述陶瓷原料,按质量百分比,由下述组分组成:β-Si3N4:65%~85%,SiC晶须:10%~25%,烧结助剂:5%~10%。该制备方法可以实现在常压下烧结氮化硅增韧陶瓷,同时步骤简单、方便易行。利用该方法制备的氮化硅增强陶瓷强度高、致密性好、韧性明显提高,且耐高温和耐磨优异,可广泛用于各种对材料强度要求高的领域。
搜索关键词: 一种 氮化 硅增韧 陶瓷 制备 方法
【主权项】:
一种氮化硅增韧陶瓷的制备方法,包括混料、球磨和烧结的步骤,其特征在于:所述混料步骤中,陶瓷原料,按质量百分比,由下述组分组成:β‑Si3N4                  65%~85%SiC晶须                   10%~25%烧结助剂                  5%~10%。
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