[发明专利]一种电感结构有效
申请号: | 201210496838.5 | 申请日: | 2012-11-29 |
公开(公告)号: | CN102956622B | 公开(公告)日: | 2017-03-15 |
发明(设计)人: | 李琛;皮常明;田鑫 | 申请(专利权)人: | 上海集成电路研发中心有限公司 |
主分类号: | H01L23/64 | 分类号: | H01L23/64;H01L27/06 |
代理公司: | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275 | 代理人: | 吴世华,林彦之 |
地址: | 201210 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种电感结构,包括片上电感以及位于所述片上电感下方的屏蔽层,所述屏蔽层包括至少一个屏蔽单元,所述屏蔽单元与所述片上电感所产生的涡电流方向正交,所述屏蔽单元由MOM电容结构组成,所述MOM电容结构包括一组相互平行且具有一定间隔的直角形第一金属条;以及一组相互平行且具有一定间隔的直角形第二金属条,该组第一金属条与该组第二金属条位于同层金属层且形成插指结构,所述第一金属条接电源,所述第二金属条接地。本发明充分利用片上电感下方的面积以实现稳压MOS电容的功能。 | ||
搜索关键词: | 一种 电感 结构 | ||
【主权项】:
一种电感结构,包括片上电感以及位于所述片上电感下方的屏蔽层,所述屏蔽层包括至少一个屏蔽单元,所述屏蔽单元与所述片上电感所产生的涡电流方向正交,其特征在于,所述屏蔽单元由MOM电容结构组成,所述MOM电容结构包括:一组相互平行且具有一定间隔的直角形第一金属条,该组第一金属条的一端封闭相连;一组相互平行且具有一定间隔的直角形第二金属条,该组第二金属条的一端封闭相连,该组第一金属条与该组第二金属条位于同层金属层且形成插指结构,所述第一金属条接电源,所述第二金属条接地,所述第一金属条和所述第二金属条之间具有介电质。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海集成电路研发中心有限公司,未经上海集成电路研发中心有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210496838.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。