[发明专利]一种硅太阳能单晶电池片双层减反膜的制备工艺

摘要

本发明涉及一种硅太阳能单晶电池片双层减反膜的制备工艺。该双层膜的制备步骤：(1)将正常生产的硅片经过制绒、扩散和PSG清洗；(2)在清洗后的硅片利用管式PECVD沉积第一层氮化硅薄膜；(3)在第一层氮化硅薄膜表面沉积第二层氮化硅薄膜；经过2次沉积后，制备的氮化硅薄膜其膜厚为85nm，折射率为2.06。本发明可以使硅片表面的钝化更加充分，效果更明显。并且可以增加对光的吸收，进而增加了光生载流子的数量，提高电池片的效率。此工艺沉积的双层膜对硅片表面有更好的覆盖作用，可以完全避免电池片镀膜后留下的针孔状，对电池片表面的防氧化效果更明显，增加电池片的使用寿命。

主权项

一种硅太阳能单晶电池片双层减反膜的制备工艺，其制备工艺由以下步骤：(1)将正常生产的硅片经过制绒、扩散和PSG清洗；(2)在清洗后的硅片利用管式PECVD沉积第一层氮化硅薄膜；(3)在第一层氮化硅薄膜表面沉积第二层氮化硅薄膜；所述的沉积第一层氮化硅薄膜其工艺温度为450℃，功率为6000W，压强为1700mtor，工艺时间为135s，形成15nm厚度氮化硅膜，硅烷浓度为850sccm，氨气浓度为3.4slm，形成折射率为2.35的薄膜；所述的在第一层氮化硅薄膜表面沉积第二层氮化硅薄膜，其工艺温度为450℃，功率为6000W，压强为1500mtor，工艺时间为620s，形成70nm厚度氮化硅膜，硅烷浓度为750sccm，氨气浓度为6.8slm，形成折射率为2.02的薄膜。