[发明专利]超低密度有源区的浅沟槽隔离平坦化的方法在审
| 申请号： | 201210499649.3 | 申请日： | 2012-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN103855070A | 公开（公告）日： | 2014-06-11 |
| 发明（设计）人： | 钱志刚;程晓华 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 高月红 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超低密度有源区的浅沟槽隔离平坦化的方法，包括：1）在硅衬底上淀积一层作为缓冲层的第一氧化膜；2）在第一氧化膜上，进行浅沟槽的光刻工艺；3）刻蚀浅沟槽的图形；4）在硅衬底上，依次淀积线性氧化膜和高密度等离子体氧化膜；5）在高密度等离子体氧化膜上，淀积一层作为停止层的氮化膜；6）化学机械研磨进行平坦化，停在氮化膜上；7）去除氮化膜；8）去除硅衬底上方的高密度等离子体氧化膜和第一氧化膜。本发明可以避免由于有源区面积过小，导致在后续化学机械研磨步骤中由于研磨速率过快而导致有源区的过磨损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 密度 有源 沟槽 隔离 平坦 方法 | ||
【主权项】：
一种超低密度有源区的浅沟槽隔离平坦化的方法，其特征在于，包括步骤：1）在硅衬底上淀积一层作为缓冲层的第一氧化膜；2）在第一氧化膜上，进行浅沟槽的光刻工艺；3）刻蚀浅沟槽的图形；4）在硅衬底上，依次淀积线性氧化膜和高密度等离子体氧化膜；5）在高密度等离子体氧化膜上，淀积一层作为停止层的氮化膜；6）化学机械研磨进行平坦化，停在氮化膜上；7）刻蚀，去除氮化膜；8）用湿法刻蚀的方法，去除硅衬底上方的高密度等离子体氧化膜和第一氧化膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
