[发明专利]HTHP合成半导体人造金刚石的方法有效

专利信息
申请号: 201210499962.7 申请日: 2012-11-30
公开(公告)号: CN102989373A 公开(公告)日: 2013-03-27
发明(设计)人: 苑执中;李军旗 申请(专利权)人: 台钻科技(郑州)有限公司;富泰华精密电子(郑州)有限公司
主分类号: B01J3/06 分类号: B01J3/06
代理公司: 郑州大通专利商标代理有限公司 41111 代理人: 樊羿
地址: 450016 河南省郑州市*** 国省代码: 河南;41
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摘要: 发明涉及一种HTHP合成半导体人造金刚石的方法。该方法是以单质硼为人造金刚石改性元素,以FeNiCo合金粉和高纯石墨粉为原材料,经混合、冷等静压、破碎、成型、真空高温焙烧、整形等工序制备合成半导体人造金刚石用石墨柱,再与叶腊石模、钢杯、氧化镁杯、石墨片、导电钢帽等附件组装,利用六面顶液压机以HTHP方式使石墨转化为半导体人造金刚石,再经化学处理即可得出优质半导体人造金刚石。本发明方法能通过调节原材料不同配比方式自由调控半导体人造金刚石电阻率,产量高,制备出的半导体人造金刚石比普通人造金刚石更耐高温,化学惰性更好,自锐性强。
搜索关键词: hthp 合成 半导体 人造 金刚石 方法
【主权项】:
一种HTHP合成半导体人造金刚石的方法,主要包括以下步骤:原料混合、冷等静压、破碎、成型、真空高温焙烧、整形、组装、HTHP方式转化、化学提纯处理,其特征在于,以单质硼、FeNiCo合金粉和高纯石墨粉为原料,且三者的重量比为单质硼:FeNiCo合金粉:高纯石墨粉=0.0001~0.6:30~70:70~30;所述单质硼的纯度>95%,FeNiCo合金粉纯度>95%,高纯石墨粉纯度>98%。
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