[发明专利]形成半导体器件替代栅的方法以及制造半导体器件的方法

摘要

本发明提供形成半导体器件替代栅的方法以及制造半导体器件的方法。所述方法包括：提供半导体衬底，包括N型区域和P型区域；在N型区域和P型区域上分别形成牺牲栅堆叠，每个牺牲栅堆叠包括牺牲栅介质和牺牲栅电极，牺牲栅电极位于牺牲栅介质上，所述N型区域中的牺牲栅电极高于P型区域中的栅电极；环绕每一个牺牲栅堆叠形成侧墙；在半导体衬底中位于牺牲栅堆叠两侧处形成源/漏区；去除N型区域中牺牲栅堆叠以在侧墙内形成第一开口；在所述第一开口内形成N型替代栅堆叠；去除所述P型区域中的牺牲栅堆叠以形成第二开口；在第二开口内形成P型替代栅堆叠；以及平坦化至暴露N型替代栅堆叠。该方法工艺简单。

主权项

一种形成半导体器件替代栅的方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括N型器件区域和P型器件区域；在所述N型器件区域上形成第一牺牲栅堆叠，在所述P型器件区域上形成第二牺牲栅堆叠，所述第一和第二牺牲栅堆叠中的每一个包括牺牲栅介质和牺牲栅电极，所述牺牲栅介质位于所述半导体衬底上，所述牺牲栅电极位于所述牺牲栅介质上，且所述N型器件区域中的牺牲栅电极高于所述P型器件区域中的栅电极；环绕所述第一牺牲栅堆叠形成第一侧墙，并且环绕所述第二牺牲栅堆叠形成第二侧墙；在所述半导体衬底中位于所述第一和第二牺牲栅堆叠的每一个两侧处形成源/漏区；在所述半导体衬底之上形成第一保护层；平坦化所述第一保护层至所述N型器件区域中的所述牺牲栅电极暴露；去除所述N型器件区域中的所述第一牺牲栅堆叠以在所述第一侧墙内形成第一开口；在所述半导体衬底之上形成N型替代栅层，从而在所述第一开口内形成N型替代栅堆叠；平坦化所述N型替代栅层至所述P型器件区域中的所述第二牺牲栅堆叠暴露；在所述半导体衬底之上形成第二保护层；去除所述P型器件区域中的所述第二保护层至所述第二牺牲栅堆叠暴露；去除所述P型器件区域中的所述第二牺牲栅堆叠以在所述第二侧墙内形成第二开口；在所述半导体衬底之上形成P型替代栅层，从而在所述第二开口内形成P型替代栅堆叠；以及平坦化所述P型替代栅层至所述N型器件区域中的所述N型替代栅堆叠暴露。